ISBN/价格: | 978-7-121-38073-0:CNY128.00 |
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作品语种: | chi eng |
出版国别: | CN 110000 |
题名责任者项: | 现代VLSI器件基础/.(美) 陶元, 甯德雄著/.Yuan Taur, Tak H. Ning/.黄如 ... [等] 译 |
出版发行项: | 北京:,电子工业出版社:,2020 |
载体形态项: | XXIII, 484页:;+图:;+26cm |
丛编项: | 集成电路系列丛书 |
提要文摘: | 本书旨在深度剖析影响现代VLSI器件性能的主要因素。本书首先分析了VLSI器件的基本器件物理,这对于单个器件的参数设计是非常有帮助的;然后本书从基础电路层面分析了器件参数对现代小尺寸VLSI器件性能的影响。本书用大量篇幅对现代CMOS器件参数之间的相互影响和器件参数的折中设计进行了深度分析和讨论。 |
题名主题: | VLSI芯片 电路设计 |
中图分类: | TN470.2 |
个人名称等同: | 陶元 著 |
个人名称等同: | 甯德雄 著 |
个人名称次要: | 黄如 译 |
个人名称次要: | 王润声 译 |
个人名称次要: | 黎明 译 |
记录来源: | CN HNLY 20240919 |